(n) 8GB 1*8GB Hynix DDR5 4800MHz 1,1V HMCG66MEBSA095N

SPECIFIKACE:Výrobce: SamsungKapacita: 8 GB (1*8 GB)Symbol:M425R1GB4BB0-CQKOLTyp: DDR5Konstrukce: 1Rx16Počet PINů: 262Pracovní frekvence: 4800 MHzPropustnost: PC5-4800Třída: CL40Napětí: 1,1 VStav: použitý – OEMVítám vás srdečně. Na této aukci vám mohu nabídnout 8 GB 1*8 GB Samsung DDR5 4800MHz 1,1V M425R1GB4BB0-CQKOL.Komponenty, které prodávám, pocházejí především z demontáže nevyprodaných sérií zařízení ve velkých obchodních nebo leasingových řetězcích ve velkých firmách a také z povýstavních zařízení, méně často z pravidelně používaných zařízení. Paměť RAM, kterou prodávám, prochází důkladným testováním pomocí programu MemTest86, takže máte jistotu, že odesílaná do vašich kostek je plně funkční a bez jakýchkoli chyb nebo vad.MemTest86 – program navržený pro tzv. „stresový test“ (ověření stability při maximálním zatížení) paměti RAM.Dual channel – doporučuji nákup paměti v tzv. DUALU neboli ve dvojicích pro zvýšení výkonu použitých pamětí RAM až o 50 %. Stručně řečeno, tato technologie spočívá v tom, že při použití dvou paměťových kostek s identickými parametry počítač/notebook detekuje, že spolupr
více informací