Výkonový tranzistor MOSFET International Rectifier IRF5210, kanál P, TO 220, 0,06 Ω, 100 V, -40 A - diskuze

Parametry:Průrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 100 VSérie (polovodiče): HEXFET®Kanálů: 1Typ (výrobce): IRF5210PBFZpůsob montáže: Průchozí otvorTyp pouzdra (polovodiče): TO-220Provozní teplota (min.): -55 °CProvozní teplota (max.): +175 °CZkratka výrobce (součástky): INFSplňuje RoHS: AnoVýrobce: Infineon TechnologiesR(DS)(on): 60 mΩReferenční napětí R(DS)(on): 10 VI(d): 40 ATyp tranzistoru: Tranzistor MOSFETU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µATyp tranzistoru: P-kanálReferenční proud R(DS)(on): 24 AC(ISS): 2700 pFU(DSS): 100 VReferenční napětí Q(G): 10 VU(GS)(th) max.: 4 VQ(G): 180 CReferenční napětí C(ISS): 25 VVýkon: 200 W
více informací