Infineon Technologies IRFBF30PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 125 W TO-220
EAN: 2050000042348
ParametryMnožství: 1 ksVýrobce: Infineon TechnologiesKanálů: 1Typ pouzdra (polovodiče): TO-220Typ tranzistoru: N-kanálVlastnost tranzistoru: standardníZkratka výrobce (součástky): INFTyp (výrobce): IRFBF30PBFZpůsob montáže: průchozí otvorC(ISS): 1200 pFReferenční napětí C(ISS): 25 VI(d): 3.6 AProvozní teplota (max.): +150 °CProvozní teplota (min.): -55 °CVýkon Pmax: 125 WQ(G): 78 nCReferenční napětí Q(G): 10 VR(DS)(on): 3.7 ΩReferenční proud R(DS)(on): 2.2 AReferenční napětí R(DS)(on): 10 VU(GS)(th) max. referenční proud: 250 µAU(DSS): 900 VU(GS)(th) max.: 4 VTyp: IRFBF 30Popis: 900 V/4,7 APrůrazné závěrné napětí U(BR) (DSS): 900 VKategorie produktu: tranzistor MOSFETEAN: 2050000042348
Cena 126 Kč v 1 obchodě
Obchody, které prodávají Infineon Technologies IRFBF30PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 125 W TO-220
Zobrazit historii ceny Infineon Technologies IRFBF30PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 125 W TO-220
Historie nejnižsí ceny Infineon Technologies IRFBF30PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 125 W TO-220. Porovnání obchodů, které prodávají Infineon Technologies IRFBF30PBF tranzistor MOSFET 1 N-kanál 125 W TO-220.
Diodes Inc. Bcp5316Ta Trans, Pnp, 80V,
Nexperia Buk9M5R0-40Hx Mosfet, N-Ch, 4
Nexperia Pmv90Ener Mosfet, N-Ch, 30V,
Nexperia Buk9832-55A/cux Mosfet, Aec-Q
Nexperia Bc817-40Qbz Bipolar Trans, Np
Onsemi Afghl40T65Sq Igbt, 650V, 80A, 2
Vishay Teft4300 Phototransistor, T1
Stmicroelectronics Sctw100N65G2Ag Mosf
Vishay V10Km120Chm3/h Schottky Rectifi
Nexperia 2Pd1820Ar,115 Trans, Bipolar,
Diodes Inc. Bs107P Mosfet, N-Ch, 200V,
Nexperia Bf621,115 Trans, Bipolar, Pnp















